Samsung opracowuje 400-warstwowy układ NAND dla dysków SSD o dużej pojemności

Samsung nadal umacnia swoją pozycję lidera w wyścigu technologicznym, planując produkcję 400-warstwowych układów pamięci NAND, których premiera przewidywana jest na 2026 rok. To przełomowe osiągnięcie utoruje drogę dla dysków SSD o ultrawysokiej pojemności, spełniając ogromne wymagania sztucznej inteligencji (AI) w zakresie przechowywania danych.

Obecnie Samsung pokłada duże nadzieje w swoim chipie V10 NAND 10. generacji, opracowanym przy użyciu zaawansowanej technologii BV NAND. Technologia ta umożliwia produkcję komórek pamięci i obwodów peryferyjnych na oddzielnych waflach, które są następnie łączone w kompletny chip. Takie podejście minimalizuje wydzielanie ciepła i optymalizuje wydajność. Gęstość bitów na jednostkę powierzchni układu V10 NAND jest 1,6 razy wyższa niż w poprzedniej generacji, co umożliwia produkcję dysków SSD o bardzo dużej pojemności, potencjalnie przekraczającej próg 200 TB. Będzie to idealne rozwiązanie dla aplikacji AI, które wymagają ogromnych możliwości przetwarzania danych.

Oprócz 400-warstwowego układu NAND, Samsung opracował ambitny plan rozwoju, której celem jest wypuszczenie układu V11 NAND z 50% szybszym transferem danych do 2027 r., a nawet opracowanie układów NAND z ponad 1000 warstwami do 2030 r., aby wzmocnić swoją pozycję lidera na rynku.

Oprócz pamięci NAND, Samsung koncentruje się również na opracowywaniu nowych linii pamięci DRAM, dążąc do uzyskania kompaktowych rozmiarów poniżej 10 nm i doskonałej wydajności. Dzięki tym nieustannym wysiłkom południowokoreański gigant technologiczny pomaga kształtować przyszłość technologii pamięci masowej, wprowadzając ludzkość w erę sztucznej inteligencji z "nieograniczonym" potencjałem przetwarzania danych.

I jak zawsze, czekając na więcej ekscytujących wiadomości, pamiętaj, aby skorzystać z naszej porównywarki, aby znaleźć najlepszą ofertę na następną ulubioną grę.